CWmike pisze "Samsung ogłosił we wtorek nowy 8GB Dual Inline modułu pamięci (DIMM), że stosy układów pamięci na jeden na drugim, co zwiększa gęstość pamięci o 50% w porównaniu do konwencjonalnej technologii pamięci. Samsung nowego zarejestrowany lub buforowane (RDIMM ) Produkt oparty jest na obecnej DDR3 DRAM Green i 40 nanometrów (nm) wielkości obwodu. nowy moduł pamięci jest skierowany do serwera i przedsiębiorstw na rynkach składowania. trójwymiarowej (3D) proces układania jest układ, o którym mowa w pamięci Dzięki branży Silicon Via (TSV). Samsung powiedział, że proces TSV oszczędza do 40% energii zużywanej przez zwykłą RDIMM. Używając technologii TSV znacznie zwiększy gęstość chip następnej generacji systemów serwerowych, Samsung powiedział, co czyni go atrakcyjnym o wysokiej gęstości, wysokiej wydajności systemów. "
Czytaj więcej tej historii w Slashdot.
Brak komentarzy:
Prześlij komentarz